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    產品詳情 / Product Details位置: 首頁 > 晶泰產品 > YTC100B-MCZ電子級單晶爐

    主要性能指標


    爐室資料Puller Data
    坩堝直徑 Crucible  diameter:18〞- 22〞
    單晶直徑 Crystal diameter:6〞- 8〞(150-200mm)
    裝料量 Charge size:60-90kg
    喉管直徑 Throat Diameter:14 ”(356mm)
    主爐膛內徑 Main furnace Diameter:¢1000mm
    主爐膛高度 Main furnace Height:1250mm
    爐門開口尺寸 Pull Chamber Door Opening:15”×82”(380mm×2082mm)
    主真空泵抽速 Vacuum Pumps-Main:221 cfm (6,260 l/min)
    輔助真空泵抽速 (Recommended) Aux:60 cfm (1700 l/min)
    排氣方式 Exhaust:底排氣 Exhaust end
    副室類型 Deputy room type:全開門 Full-door
    爐蓋類型 Lid Type:穹頂 Dome
    磁場類型 Field type:勾型、水平型(可選) hook type, horizontal type (optional)
    有導流筒提升、激光測距、CCD控徑
    There draft tube upgrade, laser ranging, CCD control path
    可提供二次加料 providing secondary feed

    坩堝驅動單位 Crucible drive unit
    提升速度 Lifting speed:  0-10 in/hr (0-254mm/hr)
    最快提升速度 Crucible Jog Speed: (>250mm/min)
    行程 Stroke:  18〞(457mm)
    轉速 Rotation speed: 0-20 rpm(可逆)

    晶驅動單位 Crystal drive unit
    提升速度 Lifting speed: 0-20 in/hr (0-508mm/hr)
    快速提升速度 Seed Jod Speed: 20 in/min (508mm/min)
    轉速 Rotation speed: 0-50 rpm(可逆)

    廠務要求Utilities
    電源電壓(Source Voltage) :380V±10%
    頻率 (Frequency):50/60 Hz
    加熱功率 (Heating Power):IGBT 165KW底部加熱50KW
    環境溫度(Ambient Temperature):5~40
    相對濕度(Relative Humidity):<70%
    入口端最高水溫 (Maximum Inlet Temperature):77°F (25℃)      
    最小流量(Minimum Flow Rate):78 gpm (295 l/min) total
    入口出口壓力差(Diff. Supply Pressure):30 psi (2.1kg/cm2)  
    主氬氣流量(Mass Flow Control(Max.)):200 slpm
    吹掃流量 (Purge Flow):100 slpm
    合計(Facility Total):300 slpm
    推薦壓力 Recommended Supply Pressure:75 psi (5.3kg/cm2)
    壓縮空氣(Air)
    推薦壓力 Recommended Supply Pressure:90psi (6.3kg/cm2)

    控制系統System Control
    自動過程 Automatic process
    標準PLC/PC控制 control by PLC/PC. Equipped as standard

    外形尺寸Dimensions(approx.)
    總高度 (closed):6433mm
    寬 Width (W):2200mm
    深 Depth (D):2368mm

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