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    • 單晶硅長晶爐控制特色【2022年03月25日】

      本控制系統以國際先進單晶爐控制核心技術為基礎,融入單晶爐使用廠家多年的使用經驗,設計、開發出的一套全新的更可靠、更安全實用的單晶生長爐。 1、采用高分辨率雙CCD直徑控制系統(200萬像素以上),使單晶直徑控制精度達到0.1mm以內; 2、高精度、高穩定的爐壓控制系統,采用三只不同量程的壓力真空...
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    • 單晶硅長晶爐系統安全措施【2022年03月25日】

      單晶生長爐 1、流量開關---如果低流量切斷加熱器開關激活(30秒) 2、熱敏開關(11處)--警報 3、爐內高/低壓力,包括真空泵不起作用了—警報 4、籽晶提升行程上下限位—切斷馬達 5、坩堝提升行程上下限位—切斷馬達 6、生長爐內過壓保護—機械泄壓(三個位置:真空管道、副真空管道、底板上腔...
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    • 單晶硅長晶爐技術標準【2022年03月25日】

      1、CCD控制,測量方法:測量精度達到0.1mm,單晶頭尾直徑偏差在1mm以內,完全兼容拉制<100>、<111>、<110>等規格的單晶 2、真空計采用分量程薄膜真空計(0~1Torr、0~100Torr、0~1000Torr),使壓力測量精度更高,測量真空值不...
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